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面向电子器件的石墨烯控制生长
发布时间:2014-08-05        浏览次数:230

题目:面向电子器件的石墨烯控制生长

报告人:魏大程 研究员(复旦大学高分子科学系)

邀请人:徐象繁

时间:4月8日(周二),上午10:00-11:00

地点:南校区第一实验楼423会议室

报告摘要: 石墨烯作为一种完美的二维晶体,因其独特的结构和物性、丰富的科学内涵及广阔 的应用前景引起了科学界的广泛关注。2010年诺贝尔物理学奖授予了K. S. Novoselov 和A. K. Geim以表彰他们在石墨烯发现中的巨大贡献。世界各国的科学家都对石墨烯这 类新材料寄予厚望,然而石墨烯在电子学中的应用尚有一些基本科学问题亟待解决。其 中,高质量、大面积石墨烯的控制生长是目前迫切需要优先研究的关键科学问题。它是 其他研究和应用开发的前提和基础,也是限制石墨烯在电子器件应用中的瓶颈。针对目 前石墨烯生长工艺中存在的问题,我们开发了一系列石墨烯控制生长的新技术,实现了 石墨烯形貌、组成、边缘、衬底、纳米异质结构等的有效控制,从而为制备高性能、特 殊功能的石墨烯电子器件开辟了新途径。

个人简介:

2003年获得浙江大学高分子系学士学位。2009年获得中国科学院化学研究所博 士学位。同年,获得李光耀学者加入新加坡国立大学物理系工作,作为Principal Investigator主持了“Controlled Synthesis, Integration and Device Fabrication of Carbon Nanomaterials” (R-144-000-263-112)项目的研究。2014年初加入复旦大 学高分子科学系任研究员,并担任课题组长。先后获得中国科学院院长奖、中国科学院 优秀博士学位论文、新加坡Lee Kuan Yew Post Doctoral Fellowship Award等奖励。

近年来主要研究领域为低维材料的可控制备、性能及其在电子器件中的应用。 目前为止,作为第一作者和通讯作者在Nat. Commun., Acc. Chem. Res., Angew. Chem., Nano Lett., J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater.上发表论文十余篇,在其他期 刊上发表第一作者和合作论文三十余篇。论文他引1500余次。有多篇论文被选择作为杂 志封面发表,并且被众多科学媒体进行追踪报道。此外,获得授权中国专利6项,美国 专利3项,参与撰写专著《分子科学前沿》(科学出版社,2007)

面向电子器件的石墨烯控制生长

上海市杨浦区赤峰路67号同济大学南校区第一实验楼