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博士生郭劼在Journal of Physics D: Applied Physics. 发表论文
发表时间:2019-06-23 阅读次数:207次

       在徐象繁等老师的指导下,博士生郭劼在Journal of Physics D: Applied Physics.杂志上发表题为“Conformal interface of monolayer molybdenum diselenide/disulfide and dielectric substrate with improved thermal dissipation”的研究论文。

       在电子器件或光电器件应用中,由于界面处存在界面热阻,在基地材料和半导体层之间存在焦耳热积累现象。因此,针对近年来,对于高性能、低耗能纳米/微器件的需求,界面热传递在基于衬底材料的各种电子和光电器件的运行中起着重要作用。尤其是当热耗散和热管理的范围降低到纳米尺度上时,界面处的热传递通常比材料本身的热导率更重要,低维材料界面热传导引起了广泛的研究。  

         本文采用3ω法和有限元模拟相结合的方法,研究了单层过渡金属硫化物(MoX2(Xx=S或Se))与氧化硅衬底之间的界面热阻。我们通过化学气相沉积(CVD)将MoX2样品直接生长在氧化硅基片上,在界面处获得更小的空隙率和粗糙度,以降低Mox2与氧化硅衬底界面的界面热阻。我们观察到MoS2/SiO2和MoSe2/ SiO2的界面热阻分别达到~4.76×10-8 m2KW-1和~4.95×10-7 m2KW-1,比CVD转移或机械剥离样品的界面热阻小一个数量级。研究结果表明,通过改善MOX2与衬底的结合方式,可以有效地控制界面热阻,从而增强界面的热传递。

  

     该论文于2019年6月发表在Journal of Physics D: Applied Physics. https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab29c6